Каталог
Каталог →
Модуль памяти Samsung DDR5 8GB DIMM 4800MHz M323R1GB4BB0-CQK
Цена для:
юридических лиц: 3 878 руб.физических лиц: 3 800 руб.
Страна производитель по последней поставке: Филиппины
Артикул: 1885998
Доставка: 04.12.2024
Память M323R1GB4BB0-CQKOL от Samsung
| Основные характеристики | - |
| Производитель | Samsung |
| Линейка | - |
| Модель | M323R1GB4BB0-CQKOL |
| Тип оборудования | Оперативная память |
| Частота (MHz) | DDR5 - 4800 |
| Тип памяти DDR | DDR5 |
| Тип памяти | DIMM |
| Объем одного модуля (ГБ) | 8 |
| Количество модулей в комплекте (шт) | 1 |
| Общий объем памяти (ГБ) | 8 |
| Пропускная способность (МБ/с) | 38400 |
| Поддержка ECC | Нет |
| Поддержка Reg | Нет |
| Низкопрофильная | нет |
| Количество чипов на модуле | - |
| Количество контактов | 288 |
| Тайминги | - |
| CAS Latency (CL) | 39 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | - |
| Row Precharge Delay (tRP) | - |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | - |
| Тайминги | - |
| Охлаждение | - |
| Радиатор | Нет |
| Поддержка водяного охлаждения | нет |
| Дополнительные характеристики | - |
| Цвет | разноцветный |
| Подсветка | Нет |
| Напряжение (В) | - |
| Нормальная операционная температура (Tcase) | 75 °C |
| Расширенная операционная температура (Tcase) | 85 °C |
| Компоновка чипов на модуле | - |
| Чип | - |
| Потребление энергии | - |
| Габариты (мм) | - |
| Высота (мм) | - |
| Вес (грамм) | - |
| Дополнительная информация | нет |
| Сайт производителя | |
| Сервисный центр производителя |
Вся информация (включая цены) на этом интернет-сайте носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Компания оставляет за собой право в любое время без специального уведомления вносить изменения, удалять, исправлять, дополнять, либо любым иным способом обновлять информацию, размещенную во всех разделах данного сайта. Для получения подробной информации о стоимости, сроках и условиях поставки просьба обращаться по указанным на сайте телефонам.