Каталог
Каталог →
Модуль памяти Samsung DDR5 16GB SODIMM 5600Mhz M425R2GA3BB0-CWM
Цена для:
юридических лиц: 6 720 руб.физических лиц: 6 586 руб.
Страна производитель по последней поставке: КИТАЙ
Артикул: 11001082
Доставка: 04.12.2024
Оперативная память M425R2GA3BB0-CWM от Samsung
| Основные характеристики | - |
| Производитель | Samsung |
| Линейка | - |
| Модель | M425R2GA3BB0-CWM |
| Тип оборудования | Оперативная память |
| Частота (MHz) | DDR5 - 5600 |
| Тип памяти DDR | DDR5 |
| Тип памяти | SO-DIMM |
| Объем одного модуля (ГБ) | 16 |
| Количество модулей в комплекте (шт) | 1 |
| Общий объем памяти (ГБ) | 16 |
| Пропускная способность (МБ/с) | 44800 |
| Поддержка ECC | Нет |
| Поддержка Reg | Нет |
| Низкопрофильная | нет |
| Количество чипов на модуле | - |
| Количество контактов | 262 |
| Тайминги | - |
| CAS Latency (CL) | 40 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | - |
| Row Precharge Delay (tRP) | - |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | - |
| Тайминги | 40 |
| Охлаждение | - |
| Радиатор | Нет |
| Поддержка водяного охлаждения | Нет |
| Дополнительные характеристики | - |
| Цвет | зеленый |
| Подсветка | нет |
| Напряжение (В) | - |
| Нормальная операционная температура (Tcase) | - |
| Расширенная операционная температура (Tcase) | - |
| Компоновка чипов на модуле | - |
| Чип | - |
| Потребление энергии | - |
| Габариты (мм) | - |
| Высота (мм) | - |
| Вес (грамм) | - |
| Дополнительная информация | - |
| Сайт производителя | |
| Сервисный центр производителя |
Вся информация (включая цены) на этом интернет-сайте носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса РФ. Компания оставляет за собой право в любое время без специального уведомления вносить изменения, удалять, исправлять, дополнять, либо любым иным способом обновлять информацию, размещенную во всех разделах данного сайта. Для получения подробной информации о стоимости, сроках и условиях поставки просьба обращаться по указанным на сайте телефонам.